[发明专利]硅晶片有效

专利信息
申请号: 201880043135.2 申请日: 2018-06-19
公开(公告)号: CN111051580B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 小野敏昭;梅野繁 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张桂霞;杨戬
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供下述的硅晶片,在将时间设为Y(分钟)、温度设为X(℃,其中700℃≤X≤1000℃)的情况下,在满足Y=7.88×1067×X‑22.5的时间Y和温度X下进行热处理后,采用红外断层摄影术,在将激光功率设为50mW、检测器的曝光时间设为50毫秒的情况下,距晶片表面80μm~285μm的范围的BMD密度为5×108/cm3以上且2.5×1010/cm3以下。
搜索关键词: 晶片
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司,未经胜高股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880043135.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top