[发明专利]硅晶片

说明书

本发明提供下述的硅晶片，在将时间设为Y(分钟)、温度设为X(℃，其中700℃≤X≤1000℃)的情况下，在满足Y=7.88×10⁶⁷×X^‑22.5的时间Y和温度X下进行热处理后，采用红外断层摄影术，在将激光功率设为50mW、检测器的曝光时间设为50毫秒的情况下，距晶片表面80μm～285μm的范围的BMD密度为5×10⁸/cm³以上且2.5×10¹⁰/cm³以下。

技术领域

本发明涉及硅晶片，涉及还适合于低温器件工艺的硅晶片。

背景技术

已知提供一种即使半导体器件制造工序中的热处理为低温也可获得充分的吸除能力的外延硅晶片，所述外延硅晶片由通过提拉法培育的单晶硅切出，直径为300mm以上，在培育时使单晶硅的各部分从800℃降温至600℃所需的时间为450分钟以下，晶格间氧浓度为1.5×10¹⁸～2.2×10¹⁸atoms/cm³(old ASTM)，氮浓度和碳浓度为规定值以下，硅晶片的整面由COP区构成，外延层表面的晶片主体部的BMD密度在1000℃×16小时的热处理后达到1×10⁴/cm²以下(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-201468号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在上述以往技术中，进行1000℃×16小时的长时间的热处理作为评价热处理，利用该热处理后的BMD密度来保证吸除能力(gettering capability)，但需要通过适应半导体器件制造工序中的热处理的低温化的、更具可靠性的评价热处理来保证吸除能力。

本发明所要解决的课题在于：提供还适合于低温器件工艺的硅晶片。

用于解决课题的手段

根据本发明的第1观点，通过下述的硅晶片来解决上述课题：

在时间设为Y(分钟)、温度设为X(℃，其中700℃≤X≤1000℃)的情况下，

在满足Y=7.88×10⁶⁷×X^-22.5的时间Y和温度X下进行热处理后，

采用红外断层摄影术(赤外トモグラフィー法，红外层析成像法)，在激光功率设为50mW、检测器的曝光时间设为50毫秒的情况下，距晶片表面80μm～285μm的范围的BMD密度为5×10⁸/cm³以上且2.5×10¹⁰/cm³以下。

根据本发明的第2观点，通过下述的硅晶片来解决上述课题：

在时间设为Y(分钟)、温度设为X(℃，其中700℃≤X≤1000℃)的情况下，

在满足Y1=7.88×10⁶⁷×X^-22.5且1.0≤Y/Y1≤1.5的时间Y和温度X下进行热处理后，

采用红外断层摄影术，在激光功率设为50mW、检测器的曝光时间设为50毫秒的情况下，距晶片表面80μm～285μm范围的平均BMD尺寸为16nm以上且28nm以下。

根据本发明的第3观点，通过下述的硅晶片来解决上述课题：