[发明专利]用于铜的图案化的等离子体蚀刻有效
| 申请号： | 201880041196.5 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110770881B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 彼得·努南;张雪娜 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/311;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种形成平板显示器的方法，尤其是形成高像素密度的平板显示器的方法。蚀刻的方法可包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在所述铜层上，图案化所述硬掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的暴露的部分，并将铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 等离子体 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，包括以下步骤：/n沉积铜层于基板上；/n沉积硬掩模于所述铜层上；/n图案化所述硬掩模以暴露所述铜层的第一部分；和/n移除所述铜的暴露的部分以形成互连件，其中移除所述铜的暴露的部分的步骤包括：/n干式蚀刻所述铜的暴露的部分；及/n在干式蚀刻期间连续地将所述铜的暴露的部分暴露于紫外线辐射。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
