[发明专利]半导体激光二极管有效
| 申请号： | 201880040771.X | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110770985B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾克勒;艾尔弗雷德·莱尔;贝恩哈德·施托耶茨 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且所述光经由光耦合输出面(6)放射，/n其中所述有源区(5)从与所述光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向所述光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在所述主延伸平面中延伸，/n其中所述半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，/n其中所述第一外壳层(4)具有出自与所述半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，和/n其中所述第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。/n
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