[发明专利]半导体激光二极管

说明书

提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。

技术领域

提出一种半导体激光二极管。

背景技术

本专利申请要求德国专利申请10 2017 113 389.5的优先权，其公开内容借此通过参引并入本文。

在边缘发射的激光二极管中，产生光的层设置在外壳层之间，所述外壳层由于其折射率引起在层堆方向上的波引导和从而贡献于构成激光模式。外壳层通常由二极管的掺杂的半导体材料构成，因为由此除了模式引导之外应实现良好的电阻。然而，用于基于氮化物化合物半导体材料的激光二极管的外壳层的材料，如例如AlGaN，难以借助高的p型掺杂和从而仅难以以良好的电导率制造，使得始终必须寻找在电导率和光学吸收之间的折中。

此外，高功率激光二极管通常引起多个纵向激光模式和横向激光模式，使得通过全部在激光器中振荡的激光模式的总和在耦合输出棱面上引起光学强度。这然而会引起尤其沿横向方向的不均匀的强度分布，这会造成强度超高和与之关联地在这种部位处会造成棱边过载。由此，可能出现棱边损坏和激光器的破坏。为了应对所述问题，在现有技术中已知的是，将设为用于电连接半导体材料的接触材料的一部分借助绝缘层与半导体材料绝缘，并且其仅在特定的区域中开口。以所述方式，仅在开口的部位处，将电流注入到半导体材料中，所述电流仅可以经由半导体材料的横向电导率分布。这引起，远离开口的区域与直接在开口下方的区域相比较小地通电。由此，尽管可以控制模式动力学(Modendynamik)，然而这种措施的设计自由度和同时还有达到的效果的大小明显受到限制。

发明内容

特定实施方式的至少一个目的是，提出一种半导体激光二极管。

所述目的通过根据实施例的主题来实现。主题的有利的实施方式和改进方案的特征从下面的说明书和附图中得出。

根据至少一个实施方式，半导体激光二极管具有至少一个有源层，所述有源层设计并且配置为，在激光二极管运行时在有源区中产生光。有源层尤其可以是具有多个半导体层的半导体层序列的一部分，并且具有主延伸平面，所述主延伸平面垂直于半导体层序列的层的设置方向。在有源层中并且尤其在有源区中在半导体激光二极管运行时产生的光能够经由光耦合输出面放射。

例如，有源层可以具有刚好一个有源区。有源区可以至少部分地通过导电层与半导体层序列的接触面来限定，即至少部分地通过如下面来限定，经由所述面将电流注入到半导体层序列和进而有源层中。此外，有源区可以附加地至少部分地也通过脊形波导结构来限定，即通过半导体层序列的半导体材料中以长形的升高部的形式形成的脊形部。

根据另一实施方式，在用于制造半导体激光二极管的方法中，制造有源层，所述有源层配置为并且设为用于，在半导体激光二极管运行时产生光，尤其在红外至紫外光谱中的光。尤其地，可以制造具有有源层的半导体层序列。在上文中和在下文中描述的实施例和特征同样适用于半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法。