[发明专利]具有跨越漏极选择电极线的三维存储器器件及其制造方法有效
申请号: | 201880038979.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN110770905B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | S·亚达;A·赛;K·萨卡基巴拉 | 申请(专利权)人: | 闪迪技术有限公司 |
主分类号: | H10B43/35 | 分类号: | H10B43/35;H10B43/27 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 魏利娜 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠在衬底上方形成。所述间隔物材料层形成为导电层或者被所述导电层替换。在所述交替堆叠上方形成绝缘帽盖层。在穿过所述交替堆叠和所述绝缘帽盖层中的每一层形成存储器堆叠结构之后,形成跨越一对相邻的所述存储器堆叠行的线状沟槽。所述线状沟槽的侧壁包括所述一对相邻的所述存储器堆叠结构行内的每个存储器堆叠结构的侧壁。在所述线状沟槽内形成漏极选择栅极电介质和漏极选择电极线。所述漏极选择电极线控制电流通过所述漏极区下方的每个存储器堆叠结构内的竖直半导体沟道的上部部分的流动,以激活或去激活所述相邻的行。 | ||
搜索关键词: | 具有 跨越 选择 电极 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三维存储器器件,包括:/n绝缘层和导电层的交替堆叠,所述绝缘层和导电层的交替堆叠定位在衬底上方;/n绝缘帽盖层,所述绝缘帽盖层覆盖所述交替堆叠;/n存储器堆叠结构,所述存储器堆叠结构排列成沿第一水平方向横向延伸并且延伸穿过所述交替堆叠和所述绝缘帽盖层中的每一层的行,其中所述存储器堆叠结构中的每一个均包括存储器膜以及由所述存储器膜横向围绕的竖直半导体沟道;/n线状沟槽,所述线状沟槽跨越一对相邻的所述存储器堆叠结构行并且沿第一水平方向延伸,其中所述线状沟槽的侧壁包括在所述一对相邻的所述存储器堆叠结构行内的每个存储器堆叠结构的侧壁;和/n漏极选择电极线,所述漏极选择电极线定位在所述线状沟槽内。/n
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