[发明专利]陶瓷电路基板在审
| 申请号： | 201880037182.6 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110731129A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 青野良太;中原史博;西村浩二;津川优太 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/18 | 分类号： | H05K3/18;B23K1/00;C23C18/42;H01L23/13;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18;H05K3/32 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷电路基板 镀银 铜板 接合 算术平均粗糙度 半导体元件 表面粗糙度 银纳米粒子 电路基板 功率模块 密封树脂 陶瓷基板 氮化硅 氮化铝 密合性 银镀层 钎料 主面 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷电路基板，其为在使用氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。/n
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