[发明专利]氮化铝烧结体及包括其的半导体制造装置用构件在审
| 申请号： | 201880035936.4 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110770193A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡济浩;朴孝成;安德源;姜泰熙 | 申请（专利权）人： | 株式会社美科 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/64;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵赫;赵永莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 氮化铝烧结体包含1～5重量％的氧化钇(Y | ||
| 搜索关键词： | 半导体制造步骤 氮化铝烧结体 体积电阻 氮化铝 导热率 氧化钇 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝烧结体，其包含：/n1～5重量％的氧化钇(Y
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