[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880035215.3 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110678988B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 三好智之;森睦宏;竹内悠次郎;古川智康 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供同时实现低导通损失和低开关损失的IGBT和应用其的电力变换装置。特征在于具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层；第2导电类型的阱区域；第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述半导体层及所述阱区域相接，夹着所述阱区域相互相邻地形成；第1导电类型的发射极区域；第2导电类型的供电区域；发射极电极；第2导电类型的集电极层；以及集电极电极，其中，所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或载流子控制栅极布线中的某一方电连接，与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第1导电类型的半导体层，形成于半导体基板的第1主面；/n第2导电类型的阱区域，与所述第1导电类型的半导体层相接，形成于所述第1主面侧；/n第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述第1导电类型的半导体层及所述第2导电类型的阱区域相接，夹着所述第2导电类型的阱区域而相互相邻地形成；/n第1导电类型的发射极区域，形成于所述第2导电类型的阱区域的所述第1主面侧；/n第2导电类型的供电区域，贯通所述第1导电类型的发射极区域，与所述第2导电类型的阱区域电连接；/n发射极电极，经由所述第2导电类型的供电区域而与所述第2导电类型的阱区域电连接；/n第2导电类型的集电极层，与所述第1导电类型的半导体层相接，形成于与所述第1主面侧相反的一侧的所述半导体基板的第2主面侧；以及/n集电极电极，与所述第2导电类型的集电极层电连接，/n所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，/n所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或者载流子控制栅极布线中的某一方电连接，/n与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。/n
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