[发明专利]半导体装置、电子构件及电子设备在审
| 申请号： | 201880034637.9 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110678974A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;加藤清;热海知昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种存储电路由使用OS晶体管的单极性电路构成的新颖的半导体装置。因此，在存储电路内部中，不需要连接不同层。由此，可以减少连接部数而可以提高电路布局的自由度及OS晶体管的可靠性。特别是，因为设置多个存储单元，所以通过由单极性电路构成存储单元，可以大幅度地减少连接部数。此外，通过在同一层中设置驱动电路和单元阵列，可以防止在层间设置连接驱动电路和单元阵列的多个布线，从而可以进一步减少连接部数。可以在插板设置多个集成电路来将其用作一个电子构件。 | ||
| 搜索关键词： | 单极性电路 存储单元 存储电路 单元阵列 晶体管 连接驱动电路 半导体装置 电路布局 电子构件 驱动电路 同一层 布线 层间 插板 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n单元阵列；/n第一驱动电路；以及/n第二驱动电路，/n其中，所述单元阵列包括第一存储单元及第二存储单元，/n所述第一驱动电路具有供应选择信号的功能，/n所述第二驱动电路具有进行数据写入或读出的功能，/n所述第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器，/n所述第二存储单元包括第二晶体管及第二电容器，/n所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器电连接，/n所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器电连接，/n所述第一驱动电路包括第三晶体管，/n所述第二驱动电路包括第四晶体管，/n所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管在沟道形成区域中包括金属氧化物，/n所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管的极性彼此相同，/n并且，所述第一晶体管的沟道形成区域及所述第二晶体管的沟道形成区域形成在同一半导体层中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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