[发明专利]氮化硅膜的高压处理有效
| 申请号： | 201880034510.7 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110678959B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 基思·塔特森·王;肖恩·S·康;斯里尼瓦斯·D·涅曼;怡利·Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/321;C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 高压 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理在工件上的包括硅氮键的电介质膜的方法，包含：/n在腔室中支撑所述工件，所述工件具有包括硅氮键的所述电介质膜；/n将胺气引入所述腔室中；/n在所述腔室中建立至少5个大气压的压力；和/n当在所述腔室中的所述压力是至少5个大气压时，将所述工件上的所述电介质膜暴露于所述胺气。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880034510.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体模块及其制造方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
