[发明专利]垂直晶体管自对准触点工艺形成的嵌入式底部金属触点有效
| 申请号： | 201880032182.7 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110678986B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘作光;范淑贞;吴恒;山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例涉及用于具有嵌入式底部金属触点的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底的掺杂区域上形成半导体鳍片。使与半导体鳍片相邻的掺杂区域的一部分凹陷，并且在凹陷部分上形成嵌入式触点。选择导电轨道的材料使得嵌入式触点的导电率高于掺杂区域的导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体 管自 对准 触点 工艺 形成 嵌入式 底部 金属 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：/n在衬底的掺杂区域上形成半导体鳍片；/n使一部分所述掺杂区域凹陷；以及/n在所述掺杂区域的凹陷部分上形成嵌入式触点；/n其中所述嵌入式触点的导电率高于所述掺杂区域的导电率。/n
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