[发明专利]薄膜结晶工艺在审
| 申请号： | 201880031005.7 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110741460A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 沙恩·汤马斯·麦克马洪 | 申请（专利权）人： | 沙恩·汤马斯·麦克马洪 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 33246 浙江千克知识产权代理有限公司 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 美国纽约州萨拉托加温泉城9*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过电磁感应加热对基材进行区域加热的方法。该方法可以包括将半导体膜施加到基材上，并且可控地通电位于基材附近的线圈。通电的线圈由此产生磁通量，该磁通量在基材和/或半导体膜中感应出电流，从而加热基材和/或半导体膜。该方法还可以包括线圈和基材之间的相对运动，以提供半导体膜的平移加热。另外，可以采用籽晶机制来进一步控制结晶过程。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 半导体膜 磁通量 通电 电磁感应加热 平移 加热基材 控制结晶 区域加热 可控 籽晶 加热 施加 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成晶体状半导体膜的方法，所述方法包括：/n将第一半导体薄膜施加到支撑导电基材上；/n可控地通电位于所述导电基材附近的线圈，该通电引起磁通量；/n在所述导电基材中感应出电流，从而通过焦耳加热对基材进行局部加热；以及/n热量从所述基材传导到所述半导体膜，从而改变半导体膜的特性。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
