[发明专利]用于5纳米及以上的标准单元布局架构和绘图样式在审
| 申请号： | 201880029074.4 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110692137A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 理查德·T·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/45;H01L29/423;H01L23/535;H01L29/417;H01L21/768;G06F17/00 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种用于有效地创建标准单元的布局的系统和方法。用于集成电路的标准单元使用全沟槽硅化物带(522A，522B，522C)作为pmos晶体管和nmos晶体管的漏极区域。金属0中的多条单向路线跨标准单元布置，其中每个路线都连接到沟槽硅化物触点。电源连接和接地连接利用引脚而不是标准单元中的端到端轨。另外，中间节点以单向路线在标准单元中布线。 | ||
| 搜索关键词： | 标准单元 单向路线 硅化物触点 电源连接 接地连接 漏极区域 中间节点 端到端 硅化物 有效地 布线 引脚 集成电路 金属 创建 | ||
【主权项】：
1.一种标准单元布局，其包括：/n多个晶体管；/n一个或多个沟槽硅化物触点，每个沟槽硅化物触点都被形成为所述多个晶体管中的相应晶体管的源极区域或漏极区域；/n一个或多个全沟槽硅化物带，每个全沟槽硅化物带都是形成为所述多个晶体管中的两个单独晶体管的漏极区域的沟槽硅化物触点；和/n在金属0层中的多个单向信号路线，其中每个路线连接到所述一个或多个沟槽硅化物触点中的相应一个。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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