[发明专利]一种标准单元布局和用于创建标准单元布局的半导体器件加工方法有效
| 申请号： | 201880029071.0 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110582849B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 理查德·T·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/775;H01L29/06;H01L21/768;H01L21/8238;H01L29/66;H01L27/118 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种用于创建垂直全环栅标准单元的布局的系统和方法。环绕在硅衬底上形成的两个垂直纳米线片布置金属栅极。在所述两个垂直纳米线片之间在所述金属栅极上形成栅极触点。将栅极延伸金属(GEM)布置在所述金属栅极上方至少所述栅极触点上。在所述GEM上的某个位置处形成栅极通孔，在所述位置处可使用局部互连层来布线栅极连接。布置局部金属层被以用于连接局部路线和电源连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 单元 布局 用于 创建 半导体器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于创建标准单元布局的半导体器件加工方法，其包括：/n在硅衬底上形成多个垂直纳米线片；/n环绕所述多个垂直纳米线片布置金属栅极；/n在所述多个垂直纳米线片中的两个垂直纳米线片之间在所述金属栅极上形成栅极触点；/n将栅极延伸金属(GEM)布置在所述金属栅极上方所述栅极触点上；以及/n在所述GEM上的某个位置处形成栅极通孔(VGEM)，在所述位置处可使用局部互连层来布线栅极连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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