[发明专利]太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法有效
申请号: | 201880026320.0 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN110546768B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 伊藤宪和;福地健次 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柯瑞京 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 太阳能电池元件具备半导体基板(1)和覆盖部(Pc1)。半导体基板(1)具有第1半导体区域(3)和第2半导体区域(2)。第1半导体区域(3)是存在于半导体基板(1)的第1面侧的第1导电型的半导体区域。第2半导体区域(2)是位于与半导体基板(1)的第1面相反侧的第2面侧且与第1导电型不同的第2导电型的半导体区域。覆盖部(Pc1)位于半导体基板(1)的第1面侧。覆盖部(Pc1)具有在包含钝化层(9)和反射防止层(5)的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分(Ps1)。在层叠部分(Ps1),钝化层(9)具有处于随着从第1面的外周部(1op)侧接近于中央部(1cp)侧而厚度减少的状态的区域。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池元件,具备:/n半导体基板,具有存在于第1面侧的第1导电型的第1半导体区域、和位于与所述第1面相反侧的第2面侧且与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域;和/n覆盖部,位于该半导体基板的所述第1面侧,/n该覆盖部具有在包含钝化层和反射防止层的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分,/n在所述层叠部分,所述钝化层具有处于随着从所述第1面的外周部侧接近于中央部侧而厚度减少的状态的区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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