[发明专利]太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法

说明书

太阳能电池元件具备半导体基板(1)和覆盖部(Pc1)。半导体基板(1)具有第1半导体区域(3)和第2半导体区域(2)。第1半导体区域(3)是存在于半导体基板(1)的第1面侧的第1导电型的半导体区域。第2半导体区域(2)是位于与半导体基板(1)的第1面相反侧的第2面侧且与第1导电型不同的第2导电型的半导体区域。覆盖部(Pc1)位于半导体基板(1)的第1面侧。覆盖部(Pc1)具有在包含钝化层(9)和反射防止层(5)的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分(Ps1)。在层叠部分(Ps1)，钝化层(9)具有处于随着从第1面的外周部(1op)侧接近于中央部(1cp)侧而厚度减少的状态的区域。

技术领域

本公开涉及太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法。

背景技术

太阳能电池元件中，例如，存在使用了由单晶硅或者多晶硅等构成的半导体基板的晶体系的太阳能电池元件。在这样的晶体系的太阳能电池元件中，例如，若在半导体基板的受光面侧存在防反射膜，在半导体基板的背面侧存在钝化层，则光电转换效率能够提高(例如，参照国际公开第2015/182503号等)。

发明内容

公开了太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法。

太阳能电池元件的一方式具备半导体基板和覆盖部。所述半导体基板具有第1半导体区域和第2半导体区域。所述第1半导体区域是存在于所述半导体基板的第1面侧的第1导电型的半导体区域。所述第2半导体区域是位于与所述半导体基板的所述第1面相反侧的第2面侧且与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体区域。所述覆盖部位于所述半导体基板的第1面侧。所述覆盖部具有在包含钝化层和反射防止层的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分。在该层叠部分，所述钝化层具有处于随着从所述第1面的外周部侧接近于中央部侧而厚度减少的状态的区域。

太阳能电池元件的制造方法的一方式具有：准备第1半导体基板以及第2半导体基板的第1工序、和在所述第1半导体基板以及所述第2半导体基板各自的表面上形成钝化层的第2工序。所述第1半导体基板以及所述第2半导体基板分别具有：存在于第1面侧的第1导电型的第1半导体区域、和存在于与所述第1面相反侧的第2面侧的与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域。在所述第2工序中，在将所述第1半导体基板和所述第2半导体基板配置成所述第1半导体基板的所述第1面与所述第2半导体基板的所述第1面接近并且对置的状态下，形成所述钝化层。在所述第2工序中，将所述钝化层形成为具有处于随着从所述第1半导体基板以及所述第2半导体基板各自的所述第1面中的外周部侧接近于中央部侧而厚度减少的状态的区域。

附图说明

图1是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件的一个例子中的受光面侧的外观的俯视图。

图2是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件的一个例子中的背面侧的外观的后视图。

图3是表示沿着图1以及图2的III-III线的太阳能电池元件的切剖面的端面图。

图4是示意性地表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件的第1面侧的部分的切剖面的放大端面图。

图5是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件之中的图3的切剖面所对应的部分中的制造中途的状态的一个例子的端面图。

图6是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件之中的图3的切剖面所对应的部分中的制造中途的状态的一个例子的端面图。

图7是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件之中的图3的切剖面所对应的部分中的制造中途的状态的一个例子的端面图。

图8是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件之中的图3的切剖面所对应的部分中的制造中途的状态的一个例子的端面图。

图9是表示第1实施方式所涉及的太阳能电池元件之中的图3的切剖面所对应的部分中的制造中途的状态的一个例子的端面图。