[发明专利]太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880026320.0 申请日: 2018-04-02
公开(公告)号: CN110546768B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 伊藤宪和;福地健次 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 元件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池元件,具备:

半导体基板,具有存在于第1面侧的第1导电型的第1半导体区域、和位于与所述第1面相反侧的第2面侧且与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域;和

覆盖部,位于该半导体基板的所述第1面侧,

该覆盖部具有在包含钝化层和反射防止层的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分,

在所述层叠部分,所述钝化层具有处于随着从所述第1面的外周部侧接近于中央部侧而厚度减少的状态的区域,

所述第1导电型为n型,所述第2导电型为p型,

所述钝化层由氧化铝构成。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,

在所述层叠部分,所述钝化层以与所述第1面相接的状态配置。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,

在所述层叠部分,所述反射防止层以与所述第1面相接的状态配置。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池元件,其中,

在所述层叠部分,所述钝化层与所述反射防止层以相接的状态配置。

5.根据权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池元件,其中,

所述层叠部分中的从蓝色光到紫外光的波长区域所涉及的反射率处于随着从所述第1面之中的所述外周部侧接近于所述中央部侧而减少的状态。

6.根据权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池元件,其中,

所述钝化层位于所述半导体基板的所述第1面侧、所述第2面侧以及处于将所述第1面与所述第2面连结的状态的第3面侧。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池元件,其中,

在所述半导体基板的所述第2面侧,保护层位于所述钝化层上。

8.根据权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池元件,其中,

在对所述第1面进行俯视透视的情况下,所述钝化层具有位于所述中央部上的区域。

9.根据权利要求1至3的任意一项所述的太阳能电池元件,其中,

所述反射防止层以与所述第1面的所述中央部相接的状态配置。

10.一种太阳能电池元件的制造方法,具有:

第1工序,准备第1半导体基板以及第2半导体基板,所述第1半导体基板以及所述第2半导体基板分别具有存在于第1面侧的第1导电型的第1半导体区域、和存在于与所述第1面相反侧的第2面侧且与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域;和

第2工序,在将所述第1半导体基板和所述第2半导体基板配置成所述第1半导体基板的所述第1面与所述第2半导体基板的所述第1面接近并且对置的状态下,在所述第1半导体基板以及所述第2半导体基板各自的表面上形成钝化层,

在所述第2工序中,形成所述钝化层,以使得具有处于随着从所述第1半导体基板以及所述第2半导体基板各自的所述第1面中的外周部侧接近于中央部侧而厚度减少的状态的区域,

所述第1导电型为n型,所述第2导电型为p型,

所述钝化层由氧化铝构成。

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