[发明专利]具有灵活的晶片温度控制的静电卡盘在审
申请号: | 201880022717.2 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN110462812A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 亚历山大·马丘什金;约翰·P·霍兰德;马克·H·威尔科克森;基思·科门丹特;塔内尔·奥泽尔;郝芳莉 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人: | 李献忠;张静<国际申请>=PCT/US2 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于处理衬底的装置。提供第一冷却剂气体压强系统、第二冷却剂气体压强系统、第三冷却剂气体压强系统和第四冷却剂气体压强系统以提供独立的气体压强。静电卡盘具有带有中心点和半径的卡盘表面,并且包括:第一多个冷却剂气体端口,其在与所述中心点相距大于第一半径处;第二多个冷却剂气体端口,其在与所述中心点相距第一半径处和与所述中心点相距第二半径处之间间隔开;第三多个冷却剂气体端口,其在与所述中心点相距第二半径处和与所述中心点相距第三半径处之间间隔开;以及第四多个冷却剂气体端口,其在与所述中心点相距所述第三半径内间隔开。外密封带围绕所述卡盘表面的所述周边延伸。 | ||
搜索关键词: | 冷却剂气体 中心点 压强 相距 静电卡盘 卡盘表面 气体压强 周边延伸 盘表面 外密封 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种用于在等离子体处理室中处理衬底的装置,其包括:/n第一冷却剂气体压强系统,其构造成提供在第一压强下的第一冷却剂气体;/n第二冷却剂气体压强系统,其构造成以独立于所述第一冷却剂气体压强系统提供在第二压强下的第二冷却剂气体;/n第三冷却剂气体压强系统,其构造成独立于所述第一冷却剂气体压强系统和所述第二冷却剂气体压强系统,提供在第三压强下的第三冷却剂气体;/n第四冷却剂气体压强系统,其构造成独立于所述第一冷却剂气体压强系统、所述第二冷却剂气体压强系统和所述第三冷却剂气体压强系统提供在第四压强下的第四冷却剂气体;以及/n具有卡盘表面的静电卡盘,所述静电卡盘具有中心点和周边,所述静电卡盘还包括:/n第一多个冷却剂气体端口,其连接到所述第一冷却剂气体压强系统,其中所述第一多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距大于第一半径处;/n第二多个冷却剂气体端口,其连接到所述第二冷却剂气体压强系统,其中所述第二多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距第一半径处和与所述中心点相距第二半径处之间间隔开,其中所述第二半径小于所述第一半径;/n第三多个冷却剂气体端口,其连接到所述第三冷却剂气体压强系统,其中所述第三多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距第二半径处和与所述中心点相距第三半径处之间间隔开,其中,所述第三半径小于所述第二半径;/n第四多个冷却剂气体端口,其连接到所述第四冷却剂气体压强系统,其中所述第四多个冷却剂气体端口的每个冷却剂气体端口在与所述中心点相距所述第三半径内间隔开一定距离;以及/n围绕所述卡盘表面的所述周边延伸的外密封带,其中所述第一多个冷却剂气体端口、所述第二多个冷却剂气体端口、所述第三多个冷却剂气体端口和所述第四多个冷却剂气体端口位于所述外密封带内。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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