[发明专利]由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法有效
申请号: | 201880019340.5 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN110431253B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 原田了辅;重富利幸;铃木和治 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/16 | 分类号: | C23C16/16;C07F15/00;C23C16/18;H01L21/285 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 常海涛;孙微 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或者铱化合物薄膜的化学气相沉积用原料,该化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的铱配合物构成。本发明中应用的铱配合物即使在应用氢等还原性气体的情况下也可以制造铱薄膜。 |
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搜索关键词: | 配合 构成 化学 沉积 料及 使用 原料 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积用原料,其用于通过化学气相沉积法制造铱薄膜或铱化合物薄膜,所述化学气相沉积用原料由在铱上配位有环丙烯基或其衍生物以及羰基配体的下式所示的铱配合物构成:[化学式1]
式中,环丙烯基配体的取代基R1~R3各自独立地为氢、或者碳数1以上4以下的直链状或支链状的烷基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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