[发明专利]具有多层p型触点的III-V族氮化物基发光器件有效
| 申请号： | 201880016305.8 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110447113B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 马振强;刘冬 | 申请（专利权）人： | 威斯康星州男校友研究基金会 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有多量子阱(MQW)PIN二极管结构的发光器件。该发光器件包含由重度p型掺杂的空穴注入层和薄的p型III族氮化物层组成的多层p型触点。空穴注入层和p型III族氮化物层的材料由材料层隔开，该材料层允许电流隧穿通过在晶格失配材料之间形成的异质结。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 触点 iii 氮化物 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，所述发光器件包含：p型触点，所述p型触点包含：空穴注入层，所述空穴注入层包含单晶或多晶p型掺杂的半导体材料；p型层，所述p型层包含p型掺杂的III族氮化物；和电流隧穿层，所述电流隧穿层设置在空穴注入层与p型III族氮化物层之间，该电流隧穿层包含具有比p型掺杂的半导体材料和p型掺杂的III族氮化物的带隙更宽的带隙的无机材料，其中，电流隧穿层与空穴注入层之间的界面以及电流隧穿层与p型层之间的界面不具有外延结构；n型触点；和有源区，所述有源区包含设置在p型触点与n型触点之间的本征半导体材料，所述有源区包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替的III‑V族氮化物势垒层和III‑V族氮化物量子阱层。
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