[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜及其形成方法和形成有图案的基板的制造方法有效
申请号: | 201880015884.4 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN110383173B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 野坂直矢;若松刚史;阿部翼;三浦一裕;江原健悟;中津大贵;中川大树 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08G8/20;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 左嘉勋;顾晋伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明的目的在于提供一种能够形成在平坦性优异的同时耐溶剂性、耐热性和耐蚀刻性优异的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明是一种含有具有下述式(1)表示的部分结构的化合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。下述式(1)中,X为下述式(i)、(ii)、(iii)或(iv)表示的基团。下述式(i)中,R |
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搜索关键词: | 抗蚀剂 下层 形成 组合 及其 方法 图案 制造 | ||
【主权项】:
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,含有具有下述式(1)表示的部分结构的化合物和溶剂,
式(1)中,X为下述式(i)、(ii)、(iii)或(iv)表示的基团,n1和n2各自独立地为0~2的整数,Y和Y’各自独立地为碳原子数1~20的1价的有机基团,n3和n4各自独立地为0~8的整数,*和**表示所述化合物中的与除所述式(1)表示的部分结构以外的部分键合的部位,n5和n6各自独立地为0~8的整数,n3为2以上时,多个Y相同或不同,n4为2以上时,多个Y’相同或不同,其中,n3+n5为8以下,n4+n6为8以下,n5+n6为1以上,
式(i)中,R1和R2各自独立地为氢原子、羟基、取代或非取代的碳原子数1~20的1价的脂肪族烃基或者取代或非取代的碳原子数7~20的芳烷基,或者表示R1和R2相互结合并与它们键合的碳原子一起构成的环元数3~20的环结构的一部分,其中,不包括R1和R2为氢原子、羟基或它们的组合的情况,式(ii)中,R3和R4各自独立地为氢原子、羟基或碳原子数1~20的1价的有机基团,或者表示R3和R4相互结合并与它们键合的碳原子一起构成的环元数3~20的环结构的一部分,式(iii)中,R5为氢原子、羟基或碳原子数1~20的1价的有机基团,式(iv)中,R6为取代或非取代的1价的脂肪族烃基或者取代或非取代的碳原子数7~20的芳烷基。
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