[发明专利]基于二氧化钒的光学和射频开关有效
| 申请号： | 201880015706.1 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN110383422B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 马振强;C-B·严;J·李;D·李;S·J·赵;刘东 | 申请（专利权）人： | 威斯康星州男校友研究基金会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/66;H01L29/78;H10N70/00;H03K17/04;H03K17/51;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供了用于电磁辐射的开关，包括射频开关和光学开关。还提供了使用这些开关的方法。这些开关包含包括多个连接的具有相同晶体结构和取向的晶体VO |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化 光学 射频 开关 | ||
【主权项】：
1.一种用于电磁辐射的开关，包括：电磁辐射波导；与电磁辐射波导电连通或光连通的VO2层，其中，所述VO2层包括多个连接的具有相同晶体结构和外延取向的晶体VO2畴；以及外部激励源，被配置成将引发绝缘体到金属相变的外部激励施加到所述VO2层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
