[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法

摘要

在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件(4)的厚度在背离芯片侧面(34)的方向上单调地或严格单调地减小，C)和芯片侧面(34)相对地产生反射元件(5)，使得反射元件(5)和透明灌封件(4)在透明灌封件(4)的与芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将半导体芯片(3)从中间载体(2)剥离并且将半导体芯片(3)分别施加到器件载体(6)上，使得半导体芯片(3)的相应的光出射主侧(30)分别背离器件载体(6)，其中步骤C)在步骤D)之后执行。

主权项

1.一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中所述半导体芯片(3)是体积发射器，所述体积发射器设计用于在光出射主侧(30)上并且也在芯片侧面(34)上放射光，B)将对于所产生的辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到所述芯片侧面(34)上，使得所述芯片侧面(34)主要地或完全地由所述透明灌封件(4)覆盖，并且所述透明灌封件(4)的厚度在背离所述光出射主侧(30)的任何方向上单调地或严格单调地减小，C)产生反射元件(5)，使得所述反射元件(5)和所述透明灌封件(4)在所述透明灌封件(4)的与所述芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将所述半导体芯片(3)从所述中间载体(2)剥离并且施加在器件载体(6)上，使得所述半导体芯片(3)的所述光出射主侧(30)背离所述器件载体(6)，其中‑所述光出射主侧(30)在步骤A)和B)期间朝向所述中间载体(2)并且所述方法步骤的顺序排列如下：A)，B)，D)，C)，或‑所述光出射主侧(30)在步骤A)和B)期间背离所述中间载体(2)并且所述方法步骤的顺序排列如下：A)，C)，B)，D)。