[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201880015607.3 申请日: 2018-03-01
公开(公告)号: CN110383504B 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 马库斯·平德尔;西蒙·耶雷比奇 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/44;H01L33/54;H01L33/32;H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 制造 光电子 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,所述方法具有如下步骤:

A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上,其中所述半导体芯片(3)是体积发射器,所述体积发射器设计用于在光出射主侧(30)上并且也在芯片侧面(34)上放射光,

B)将对于所产生的辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到所述芯片侧面(34)上,使得所述芯片侧面(34)主要地或完全地由所述透明灌封件(4)覆盖,并且所述透明灌封件(4)的厚度在背离所述光出射主侧(30)的任何方向上单调地或严格单调地减小,

C)产生反射元件(5),使得所述反射元件(5)和所述透明灌封件(4)在所述透明灌封件(4)的与所述芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触,以及

D)将所述半导体芯片(3)从所述中间载体(2)剥离并且施加在器件载体(6)上,使得所述半导体芯片(3)的所述光出射主侧(30)背离所述器件载体(6),

其中

所述光出射主侧(30)在步骤A)和B)期间朝向所述中间载体(2)并且所述方法步骤的顺序排列如下:A),B),D),C)。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中在步骤B)中在所述中间载体(2)上为每半导体芯片(3)产生恰好一个透明灌封件(4),使得总体上不形成连续的透明灌封件(4),而是形成所述透明灌封件(4)的多个单个的分开的区域。

3.根据权利要求1所述的方法,

其中在步骤B)中在所述中间载体(2)上产生连续的透明灌封件(4),所述透明灌封件在所有半导体芯片(3)之上延伸,

其中在步骤D)之前和在步骤C)之前的附加的步骤E)中,仅仅穿过所述透明灌封件(4)进行分割。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,

其中所述透明灌封件(4)的外侧(44)的形状在步骤B)中通过一定量的用于所述透明灌封件(4)的材料和由于润湿而得出。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,

其中所述外侧(44)在垂直于所述光出射主侧(30)的横截面中观察构成为直线,

其中在所述外侧(44)和所述光出射主侧(30)的垂线之间的角度在20°和70°之间,其中包括边界值。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,

其中所述外侧(44)在垂直于所述光出射主侧(30)的横截面中观察

-连续地向外拱曲,或

-在第一区域中开始,在具有所述光出射主侧(30)的平面中平行于所述芯片侧面(34)伸展,并且在整个剩余的第二区域中连续地向外拱曲,并且所述第一区域沿着芯片侧面(34)占所述半导体芯片(3)的厚度的的至少50%的份额,

其中向外拱曲表示:从相应的半导体芯片(3)来看,所述外侧(44)凸状弯曲地成形,使得在横截面中观察,所述透明灌封件(4)的宽度沿着背离所述光出射主侧(30)的方向越来越缓慢地减小。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,

其中所述反射元件(5)在步骤C)中通过基质材料(51)和嵌入其中的反射性的散射颗粒(52)形成,

其中所述反射元件(5)与相应的所述光出射主侧(30)齐平。

8.根据权利要求7所述的方法,

其中

-在所述透明灌封件(4)与所述基质材料(51)之间的折射率差在300K且在500nm的波长的条件下为至少0.1,

-所述半导体芯片(3)各自具有由AlInGaN构成的半导体层序列(31)和由蓝宝石构成的生长衬底(32),

-用于接触所述半导体芯片(3)的电连接面(81)各自存在于所述光出射主侧(30)上,

-所述半导体芯片(3)各自借助接合线(82)与所述器件载体(6)电连接,以及

-所述器件载体(6)包括塑料壳体(61)和引线框(62)。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,

所述方法还包括步骤F),所述步骤F)跟随步骤B)和C)之后,

其中在步骤F)中施加灌封材料(71)和发光材料颗粒(72),并且所述发光材料颗粒(72)沉积到所述光出射主侧(30)和所述透明灌封件(4)上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880015607.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top