[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法有效
| 申请号: | 201880015607.3 | 申请日: | 2018-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN110383504B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
| 发明(设计)人: | 马库斯·平德尔;西蒙·耶雷比奇 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/54;H01L33/32;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 光电子 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,所述方法具有如下步骤:
A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上,其中所述半导体芯片(3)是体积发射器,所述体积发射器设计用于在光出射主侧(30)上并且也在芯片侧面(34)上放射光,
B)将对于所产生的辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到所述芯片侧面(34)上,使得所述芯片侧面(34)主要地或完全地由所述透明灌封件(4)覆盖,并且所述透明灌封件(4)的厚度在背离所述光出射主侧(30)的任何方向上单调地或严格单调地减小,
C)产生反射元件(5),使得所述反射元件(5)和所述透明灌封件(4)在所述透明灌封件(4)的与所述芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触,以及
D)将所述半导体芯片(3)从所述中间载体(2)剥离并且施加在器件载体(6)上,使得所述半导体芯片(3)的所述光出射主侧(30)背离所述器件载体(6),
其中
所述光出射主侧(30)在步骤A)和B)期间朝向所述中间载体(2)并且所述方法步骤的顺序排列如下:A),B),D),C)。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中在步骤B)中在所述中间载体(2)上为每半导体芯片(3)产生恰好一个透明灌封件(4),使得总体上不形成连续的透明灌封件(4),而是形成所述透明灌封件(4)的多个单个的分开的区域。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中在步骤B)中在所述中间载体(2)上产生连续的透明灌封件(4),所述透明灌封件在所有半导体芯片(3)之上延伸,
其中在步骤D)之前和在步骤C)之前的附加的步骤E)中,仅仅穿过所述透明灌封件(4)进行分割。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中所述透明灌封件(4)的外侧(44)的形状在步骤B)中通过一定量的用于所述透明灌封件(4)的材料和由于润湿而得出。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中所述外侧(44)在垂直于所述光出射主侧(30)的横截面中观察构成为直线,
其中在所述外侧(44)和所述光出射主侧(30)的垂线之间的角度在20°和70°之间,其中包括边界值。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中所述外侧(44)在垂直于所述光出射主侧(30)的横截面中观察
-连续地向外拱曲,或
-在第一区域中开始,在具有所述光出射主侧(30)的平面中平行于所述芯片侧面(34)伸展,并且在整个剩余的第二区域中连续地向外拱曲,并且所述第一区域沿着芯片侧面(34)占所述半导体芯片(3)的厚度的的至少50%的份额,
其中向外拱曲表示:从相应的半导体芯片(3)来看,所述外侧(44)凸状弯曲地成形,使得在横截面中观察,所述透明灌封件(4)的宽度沿着背离所述光出射主侧(30)的方向越来越缓慢地减小。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中所述反射元件(5)在步骤C)中通过基质材料(51)和嵌入其中的反射性的散射颗粒(52)形成,
其中所述反射元件(5)与相应的所述光出射主侧(30)齐平。
8.根据权利要求7所述的方法,
其中
-在所述透明灌封件(4)与所述基质材料(51)之间的折射率差在300K且在500nm的波长的条件下为至少0.1,
-所述半导体芯片(3)各自具有由AlInGaN构成的半导体层序列(31)和由蓝宝石构成的生长衬底(32),
-用于接触所述半导体芯片(3)的电连接面(81)各自存在于所述光出射主侧(30)上,
-所述半导体芯片(3)各自借助接合线(82)与所述器件载体(6)电连接,以及
-所述器件载体(6)包括塑料壳体(61)和引线框(62)。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
所述方法还包括步骤F),所述步骤F)跟随步骤B)和C)之后,
其中在步骤F)中施加灌封材料(71)和发光材料颗粒(72),并且所述发光材料颗粒(72)沉积到所述光出射主侧(30)和所述透明灌封件(4)上。
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