[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法

说明书

在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件(4)的厚度在背离芯片侧面(34)的方向上单调地或严格单调地减小，C)和芯片侧面(34)相对地产生反射元件(5)，使得反射元件(5)和透明灌封件(4)在透明灌封件(4)的与芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将半导体芯片(3)从中间载体(2)剥离并且将半导体芯片(3)分别施加到器件载体(6)上，使得半导体芯片(3)的相应的光出射主侧(30)分别背离器件载体(6)，其中步骤C)在步骤D)之后执行。

技术领域

提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种方法，借助所述方法可以制造具有高的光耦合输出效率的半导体器件。

该目的此外通过一种用于制造光电子半导体器件的方法来实现。优选的改进方案是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，该方法用于制造光电子半导体器件。所制造的半导体器件优选是发光二极管。此外，所制造的半导体器件优选可表面安装，使得其可以是SMD器件。

根据至少一个实施方式，该方法包括将半导体芯片施加到中间载体上的步骤。半导体芯片设计用于，产生并发射辐射，尤其可见光，如蓝色光。半导体芯片可以是发光二极管芯片，缩写LED芯片。

根据至少一个实施方式，中间载体是临时的载体。也就是说，在制成的半导体器件中不再存在中间载体。中间载体可以由多个部件组成，尤其由机械上稳定的载体衬底组成，所述载体衬底在常规的使用中优选不弯曲或不显著地弯曲，和/或由剥离膜组成。剥离膜可以是热剥离膜，英语为thermal release foil。

根据至少一个实施方式，半导体芯片是体积发射器。这表示，半导体芯片也设计用于在芯片侧面上放射光。芯片侧面在此横向于、尤其垂直于或近似垂直于相应的半导体芯片的光出射主侧设计。光出射主侧尤其是半导体芯片的两个最大侧之一并且优选垂直于或近似垂直于半导体芯片的半导体层序列的生长方向定向。半导体芯片可以具有恰好两个彼此相对置的光出射主侧或恰好一个光出射主侧。在尤其恰好一个光出射主侧上，优选地，在运行中产生的辐射的至少40％或50％或60％的份额离开相关的半导体芯片。光出射主侧在制成的半导体器件中特别优选背离器件载体。半导体芯片的与光出射主侧相对置的主侧优选各自设有用于辐射的镜，如金属镜，尤其整面地设有。

根据至少一个实施方式，半导体芯片的半导体层序列包括一个或多个有源区，用于产生辐射。辐射、尤其可见光经由电致发光来产生。

半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或是磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或也是砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs或Al_nGa_mIn_1-n-mAs_kP_1-k，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1且n+m≤1以及0≤k≤1。优选地在此适合于半导体层序列的至少一个层或所有层的是，0n≤0.8，0.4≤m1和n+m≤0.95以及0k≤0.5。在此，半导体层序列可以具有掺杂材料以及附加的组成部分。出于简单原因，然而仅给出晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分可以部分地通过少量其他物质替代和/或补充时也如此。优选地，半导体层序列基于AlInGaN。