[发明专利]三维存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201880012052.7 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110301037B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;余德钦;周文斌;高永辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8242;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了一种三维(3D)存储器结构及其制造方法。该方法包括以下步骤。在衬底的第一区域上形成3D存储器单元。在衬底的第一区域和第二区域上形成第一绝缘层。对第一绝缘层执行第一平坦化工艺。在第一平坦化工艺之后，第一区域上的第一绝缘层的顶面和第二区域上的第一绝缘层的顶面是共面的。在第一平坦化工艺之后，在第二区域上形成外围电路。可以避免形成3D存储器单元的过程对外围电路的影响。因此可以增强3D存储器结构的制造产量、电性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器结构的制造方法，包括：提供衬底，其中，在所述衬底上限定第一区域和第二区域；在所述第一区域上形成3D存储器单元；在形成所述3D存储器单元之后，在所述衬底上形成第一绝缘层，其中，在所述第一区域和所述第二区域上形成所述第一绝缘层；对所述第一绝缘层执行第一平坦化工艺，其中，在所述第一平坦化工艺之后，所述第一区域上的所述第一绝缘层的顶面和所述第二区域上的所述第一绝缘层的顶面是共面的；以及在所述第一平坦化工艺之后，在所述第二区域上形成外围电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
