[发明专利]半导体装置以及其制造方法在审
| 申请号： | 201880011285.5 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110709998A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;远藤佑太;笹川慎也;长塚修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/07;H01L27/12;H01L27/06;H01L27/1156;H01L21/8258;H01L21/822;H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/108;H01L21/34;H03K19/177;H03K3 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种适合于微型化及高集成化的半导体装置。本发明的一个实施方式包括：含有相邻的第一区域和第二区域、其间设置有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以及隔着第三绝缘体在第二区域上的第二导电体。第三绝缘体的一部分位于第二导电体和第二绝缘体的侧面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 第二区域 导电体 氧化物 第一区域 侧面 半导体装置 微型化 高集成化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n第一氧化物，包括：/n相邻的第一区域和第二区域；以及/n其间设置有所述第一区域及所述第二区域的第三区域和第四区域；/n所述第一区域上的第二氧化物；/n所述第二氧化物上的第一绝缘体；/n所述第一绝缘体上的第一导电体；/n所述第二氧化物上的第二绝缘体，该第二绝缘体与所述第一绝缘体的侧面及所述第一导电体的侧面接触；/n所述第二区域上的第三绝缘体，该第三绝缘体与所述第二绝缘体的侧面接触；以及/n在所述第二区域上并与所述第二区域之间设置有所述第三绝缘体的第二导电体，/n其中，所述第三绝缘体的一部分位于所述第二导电体和所述第二绝缘体的所述侧面之间。/n
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