[发明专利]半导体装置以及其制造方法在审
| 申请号： | 201880011285.5 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110709998A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;远藤佑太;笹川慎也;长塚修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/07;H01L27/12;H01L27/06;H01L27/1156;H01L21/8258;H01L21/822;H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/108;H01L21/34;H03K19/177;H03K3 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 第二区域 导电体 氧化物 第一区域 侧面 半导体装置 微型化 高集成化 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一氧化物，包括：
相邻的第一区域和第二区域；以及
其间设置有所述第一区域及所述第二区域的第三区域和第四区域；
所述第一区域上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一导电体；
所述第二氧化物上的第二绝缘体，该第二绝缘体与所述第一绝缘体的侧面及所述第一导电体的侧面接触；
所述第二区域上的第三绝缘体，该第三绝缘体与所述第二绝缘体的侧面接触；以及
在所述第二区域上并与所述第二区域之间设置有所述第三绝缘体的第二导电体，
其中，所述第三绝缘体的一部分位于所述第二导电体和所述第二绝缘体的所述侧面之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物位于第三导电体上，
并且所述第四区域的底面与所述第三导电体的顶面接触。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二绝缘体包含含有铝和铪中的一个或两个的氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物包含In、元素M及Zn，
并且所述元素M为Al、Ga、Y或Sn。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二氧化物包含In、元素M及Zn，
并且所述元素M为Al、Ga、Y或Sn。
6.一种半导体装置，包括：
晶体管；
电容器；
第一氧化物，包括：
相邻的第一区域和第二区域；以及
其间设置有所述第一区域及所述第二区域的第三区域和第四区域；
所述第一区域上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一导电体；
所述第二氧化物上的第二绝缘体，该第二绝缘体与所述第一绝缘体的侧面及所述第一导电体的侧面接触；
所述第二区域上的第三绝缘体，该第三绝缘体与所述第二绝缘体的侧面接触；以及
在所述第二区域上并与所述第二区域之间设置有所述第三绝缘体的第二导电体，
其中，所述第三绝缘体的一部分位于所述第二导电体和所述第二绝缘体的所述侧面之间，
所述第一区域的一部分被用作所述晶体管的沟道形成区域，
所述第一绝缘体被用作所述晶体管的栅极绝缘膜，
所述第一导电体被用作所述晶体管的栅电极，
所述第二区域被用作所述电容器的第一电极，
所述第三绝缘体被用作所述电容器的电介质，
并且，所述第二导电体被用作所述电容器的第二电极。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述第四区域相邻于所述第二区域，
所述第三区域被用作所述晶体管的源极和漏极中的一个，
并且所述第二区域及所述第四区域被用作所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物位于第三导电体上，
并且所述第四区域的底面与所述第三导电体的顶面接触。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述第二绝缘体包含含有铝和铪中的一个或两个的氧化物。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物包含In、元素M及Zn，
并且所述元素M为Al、Ga、Y或Sn。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述第二氧化物包含In、元素M及Zn，
并且所述元素M为Al、Ga、Y或Sn。
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