[发明专利]在产品制造期间识别过程变异有效
申请号: | 201880011008.4 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN110301032B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | T·格林茨威格;N·古特曼;C·E·斯坦纳斯;T·马西安诺;尼姆洛德·雪渥尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明展现系统及方法,其用于识别制造例如半导体晶片的产品期间的过程变异。在制造第一产品期间的预定阶段处,使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像。接着分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名。在制造第二产品期间的相同预定阶段处,使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像。分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名。比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。 | ||
搜索关键词: | 产品 制造 期间 识别 过程 变异 | ||
【主权项】:
1.一种在产品制造过程期间识别过程变异的方法,其包括:在制造第一产品期间的预定阶段处:使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像;分析所述图像以产生表示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名;在制造第二产品期间的相同预定阶段处:使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像;分析所述图像以产生表示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名;以及比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880011008.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:离子方向性ESC
- 下一篇:化合物半导体层叠基板及其制造方法以及半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造