[发明专利]在产品制造期间识别过程变异有效
申请号: | 201880011008.4 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN110301032B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | T·格林茨威格;N·古特曼;C·E·斯坦纳斯;T·马西安诺;尼姆洛德·雪渥尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 产品 制造 期间 识别 过程 变异 | ||
1.一种在产品制造过程期间识别过程变异的方法,其包括:
在制造第一产品期间的预定阶段处:
使用成像系统,利用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像;
分析所述第一产品的所述区域的所述图像以产生表示随所述至少一个成像参数而变的所述第一产品的所述区域的所述图像的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名;
在制造第二产品期间的预定阶段处:
使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像;
分析所述第二产品的所述区域的所述图像以产生表示随所述至少一个成像参数而变的所述第一产品的所述区域的所述图像的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名;以及
比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一个成像参数包括以下中的任何一或多个:
所述成像系统的数值孔径;
所述成像辐射的波长;
所述成像系统的焦点;或
所述成像辐射的偏振。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述识别进一步包括检测所述第一对比度签名及第二对比度签名中的一或多个特征相对于所述至少一个成像参数的偏移。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一个成像参数包括两个成像参数。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述两个成像参数包括所述成像系统的焦点及所述成像辐射的波长。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述识别进一步包括检测所述第一对比度签名及第二对比度签名中的一或多个特征相对于所述两个成像参数的偏移。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述识别进一步包括检测所述第一对比度签名及第二对比度签名中的一或多个特征相对于所述至少一个成像参数的偏移。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一对比度签名及第二对比度签名各自包括对比度图。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一对比度签名及第二对比度签名包括一或多个特征,所述一或多个特征包含所述至少一个成像参数的所述值,在所述至少一个成像参数的所述值处的对比度变化率最高。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述分析包括将符号分配给对比度的测量值,借此所述第一对比度签名及第二对比度签名识别对比度反转。
11.根据权利要求1所述的方法,其中第一对比度签名及第二对比度签名包括一或多个特征,所述一或多个特征包含所述至少一个成像参数的所述值,在所述至少一个成像参数的所述值处所述对比度从正改变成负或反之亦然。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述区域包括用于重叠测量的目标。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述目标包括衍射光栅。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述产品分批制造,且所述第一产品及所述第二产品来自不同批次。
15.根据权利要求1所述的方法,其包括在制造额外的第一产品及第二产品期间重复所述获得、分析及比较,以定期监测可能的制造过程变异。
16.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一产品及所述第二产品是半导体晶片。
17.一种用于识别在产品制造过程期间的过程变异的系统,所述系统包括:
照明系统及成像系统,所述照明系统包含辐射源,并且所述成像系统经布置以将来自所述照明系统的辐射引导朝向产品的表面并接收从所述产品反射的来自所述照明系统的辐射,以产生所述产品的图像;
控制单元,其经布置以控制所述成像系统或所述照明系统或这两者以使用至少一个成像参数的不同值来在制造的预定阶段处获得第一产品及第二产品的图像;
图像分析单元,其经配置以分析所述图像以产生表示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品及第二产品的相应对比度签名,并且比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及第二产品的制造之间是否发生过程变异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造