[发明专利]自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件有效
| 申请号： | 201880008927.6 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110268530B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;盐川阳平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12;H03B15/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;尹明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该自旋流磁化反转元件(10)具备：自旋轨道转矩配线(2)，其沿第一方向(X)延伸；和第一铁磁性层(1)，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向(Z)上，其中，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面(2a)和与所述第一表面相反的一侧的第二表面(2b)，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域(2A)；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域(2B)。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁化 反转 元件 轨道 转矩 磁阻 效应 | ||
【主权项】：
1.一种自旋流磁化反转元件，其中，具备：自旋轨道转矩配线，其沿第一方向延伸；和第一铁磁性层，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向上，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面和与所述第一表面相反的一侧的第二表面，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域。
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