[发明专利]三维存储装置的阵列共源极结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 201880005197.4 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110419104B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;吕震宇;陶谦;姚兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L23/532;H01L21/285;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种形成3D存储装置的方法。该方法包括：于一基底上形成交替导体/绝缘体叠层；形成缝隙垂直地贯穿该交替导体/绝缘体叠层；于该缝隙的侧壁上形成隔离层；形成第一导电层覆盖该隔离层；对该第一导电层进行等离子体处理，并于该等离子体处理之后进行第一掺杂工艺；形成第二导电层覆盖该第一导电层并填入该缝隙；对该第二导电层进行第二掺杂工艺，并于该第二掺杂工艺之后进行快速热结晶工艺；移除该第一导电层与该第二导电层的上部，以于该缝隙中形成一凹陷；以及于该凹陷中形成第三导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 装置 阵列 共源极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成三维(3D)存储装置的方法，包括：于基底上形成交替导体/绝缘体叠层；形成缝隙垂直地贯穿所述交替导体/绝缘体叠层；于所述缝隙的侧壁上形成隔离层；形成第一导电层覆盖所述隔离层；对所述第一导电层进行等离子体处理，并于所述等离子体处理之后进行第一掺杂工艺；形成第二导电层覆盖所述第一导电层并填入所述缝隙；对所述第二导电层进行第二掺杂工艺，并于所述第二掺杂工艺之后进行快速热结晶工艺；移除所述第一导电层与所述第二导电层的上部，以于所述缝隙中形成凹陷；以及于所述凹陷中形成第三导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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