[发明专利]等离子处理装置在审

申请号：	201880004600.1	申请日：	2018-05-28
公开（公告）号：	CN110770880A	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	近藤勇树;横川贤悦;森政士;宇根聪;中本和则	申请（专利权）人：	株式会社日立高新技术
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065
代理公司：	11021 中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	柯瑞京
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供能减少样品的针对面内方向的处理的偏差并提高处理的成品率的技术。本等离子处理装置(1)具备：配置于样品台(110)内的第1电极(基材(110B))；包围样品台(110)的上表面部(310)(电介质膜部(110A))的外周侧地配置的环状的第2电极(导体环(114))；覆盖第2电极并包围上表面部(310)的外周地配置的电介质制的环状构件(基座环(113))；用于对第1电极以及第2电极各自从高频电源提供高频电力的多个供电路径；和配置于向第2电极的供电路径上的匹配器(117)。并且，向第2电极的供电路径上的匹配器(117)与第2电极之间的第1部位(A1)、和接地部位之间经由被设为给定的值的电阻(118)电连接。
搜索关键词：	电极供电路径上表面部配置的匹配器样品台外周等离子处理装置包围电介质膜电介质制高频电力高频电源环状构件接地部位成品率导体环电连接基座环内方向电阻基材配置覆盖
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【主权项】：

1.一种等离子处理装置，对放置在配置于真空容器内的处理室内的样品台的上表面的上方的样品使用形成于所述样品室内的等离子进行处理，/n所述等离子处理装置的特征在于，具备：/n配置于所述样品台内的第1电极；/n在所述样品台的所述第1电极的包含所述上表面的上表面部的外周侧包围所述上表面部地配置的环状的第2电极；/n覆盖所述第2电极并包围包含所述第1电极的所述上表面部的外周地配置的电介质制的环状构件；/n对所述第1电极以及所述第2电极各自提供来自高频电源的高频电力的多个供电路径；和/n配置在所述多个供电路径当中从所述高频电源向所述第2电极的供电路径上的匹配器，/n所述匹配器与所述第2电极之间的所述供电路径上的第1部位、和接地部位之间经由被设为给定的值的电阻元件电连接。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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