[发明专利]用于减少三维存储器件中的半导体插塞中的缺陷的方法在审
| 申请号： | 201880002086.8 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109496360A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘藩东;华文宇;何佳;吴林春;蒲月强;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了具有电介质刻蚀停止层的3D存储器件和用于形成所述3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底上的电介质刻蚀停止层、设置在电介质刻蚀停止层上并包括多个交错的导体层和电介质层的存储器堆叠层、以及多个存储器串，所述存储器串中的每个存储器串竖直延伸通过存储器堆叠层并包括处于存储器串的底部部分中的选择性外延生长(SEG)插塞。SEG插塞设置在衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器串 电介质 刻蚀停止层 存储器件 插塞 衬底 存储器 堆叠层 选择性外延生长 三维存储器件 电介质层 竖直延伸 导体层 半导体 交错 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：形成电介质刻蚀停止层，其中，所述电介质刻蚀停止层设置在衬底上；在所述电介质刻蚀停止层上形成电介质堆叠层，所述电介质堆叠层包括多个交错的电介质层和牺牲层；形成竖直延伸通过所述电介质堆叠层的开口；使所述开口延伸通过所述电介质刻蚀停止层；在所述开口的下部部分处形成选择性外延生长(SEG)插塞，其中，所述SEG插塞设置在所述衬底上；将沟道结构形成在所述开口中的所述SEG插塞上方并与所述SEG插塞接触；以及通过利用所述导体层替换所述电介质堆叠层中的所述牺牲层，形成包括多个交错的电介质层和导体层的存储器堆叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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