[发明专利]具有贯穿阵列触点的三维存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201880001694.7 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109314118B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 郭美澜;胡禺石;夏季;朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有贯穿阵列触点(TAC)的三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底上形成包括多个电介质/牺牲层对的电介质堆叠层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的沟道结构。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的第一开口。间隔层形成在第一开口的侧壁上。通过在第一开口中沉积与间隔层接触的导体层来形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的TAC。在形成TAC之后形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的缝隙。通过用多个导体层穿过缝隙替换电介质/牺牲层对中的牺牲层，在衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储堆叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质堆叠 穿过 牺牲层 电介质 开口 存储器件 导体层 间隔层 衬底 触点 三维存储器件 导体 电介质层 沟道结构 堆叠层 贯穿 侧壁 沉积 三维 替换 存储 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：在衬底上形成包括多个电介质/牺牲层对的电介质堆叠层；形成垂直延伸穿过所述电介质堆叠层的沟道结构；形成垂直延伸穿过所述电介质堆叠层的核心阵列区域的第一开口；在所述第一开口的侧壁上形成间隔层；通过在所述第一开口中沉积与所述间隔层接触的导体层，形成垂直延伸穿过所述电介质堆叠层的贯穿阵列触点TAC；在形成所述TAC之后，形成垂直延伸穿过所述电介质堆叠层的缝隙；以及通过用多个导体层穿过所述缝隙替换所述电介质/牺牲层对中的牺牲层，在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储堆叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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