[发明专利]用于修复衬底晶格以及选择性外延处理的方法有效

专利信息
申请号: 201880000844.2 申请日: 2018-05-24
公开(公告)号: CN109075167B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 汪小军;周炜;徐林康;李冠男 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L21/324;H01L21/265
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 钟胜光
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本公开描述了图案化器件和用于修复图案化器件中的衬底晶格损伤的方法。所述图案化器件包括:衬底;所述衬底顶上的交替的导体和电介质堆叠层;延伸穿过所述交替的导体和电介质堆叠层到达所述衬底的沟道孔;以及处于所述沟道孔的底部并且处于所述衬底的顶表面上的外延生长层。衬底的与所述外延生长层接触的部分具有不同于衬底的相邻部分的掺杂剂或掺杂浓度。所述方法包括:在衬底顶上的绝缘层中形成沟道孔;在沟道孔下方的衬底的顶侧中形成非晶层;加热以使所述非晶层结晶;以及在所述沟道孔中的结晶层上生长外延层。
搜索关键词: 用于 修复 衬底 晶格 以及 选择性 外延 处理 方法
【主权项】:
1.一种图案化器件,包括:衬底;所述衬底的顶上的交替的导体和电介质堆叠层;沟道孔,其延伸穿过所述交替的导体和电介质堆叠层到达所述衬底;以及外延生长层,其在所述沟道孔的底部并且在所述衬底的顶表面,其中,所述衬底的与所述外延生长层接触的部分具有不同于所述衬底的相邻部分的掺杂剂或掺杂浓度。
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