[发明专利]用于修复衬底晶格以及选择性外延处理的方法有效
申请号: | 201880000844.2 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN109075167B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 汪小军;周炜;徐林康;李冠男 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L21/324;H01L21/265 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 钟胜光 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开描述了图案化器件和用于修复图案化器件中的衬底晶格损伤的方法。所述图案化器件包括:衬底;所述衬底顶上的交替的导体和电介质堆叠层;延伸穿过所述交替的导体和电介质堆叠层到达所述衬底的沟道孔;以及处于所述沟道孔的底部并且处于所述衬底的顶表面上的外延生长层。衬底的与所述外延生长层接触的部分具有不同于衬底的相邻部分的掺杂剂或掺杂浓度。所述方法包括:在衬底顶上的绝缘层中形成沟道孔;在沟道孔下方的衬底的顶侧中形成非晶层;加热以使所述非晶层结晶;以及在所述沟道孔中的结晶层上生长外延层。 | ||
搜索关键词: | 用于 修复 衬底 晶格 以及 选择性 外延 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图案化器件,包括:衬底;所述衬底的顶上的交替的导体和电介质堆叠层;沟道孔,其延伸穿过所述交替的导体和电介质堆叠层到达所述衬底;以及外延生长层,其在所述沟道孔的底部并且在所述衬底的顶表面,其中,所述衬底的与所述外延生长层接触的部分具有不同于所述衬底的相邻部分的掺杂剂或掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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