[实用新型]一种图形化复合衬底有效
| 申请号： | 201822216504.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN209592073U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘坚 | 申请（专利权）人： | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种图形化复合衬底，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上设有光栅结构阵列、交错排列的沟道和覆盖在光栅结构阵列表面的薄膜层，光栅结构覆盖在整个蓝宝石衬底表面，光栅结构为向上凸起形成，沟道区在蓝宝石衬底表面朝向该蓝宝石内部凹陷形成，交错排列的沟道区将蓝宝石表面分割成若干个独立的子区域，光栅结构阵列的材质和沟道区填充物材质均为阻挡外延生长的介质层，覆盖在光栅结构阵列表面的薄膜层材质为氮化铝单晶。本实用新型不需要进行激光切割，就能实现LED芯片的分离，有效地避免了LED芯片光电性能损伤问题，改善了芯片的出光效率，并提高制程良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅结构 蓝宝石 沟道区 衬底 衬底表面 交错排列 阵列表面 薄膜层 图形化 覆盖 本实用新型 氮化铝单晶 蓝宝石表面 填充物材质 复合 出光效率 光电性能 激光切割 内部凹陷 外延生长 向上凸起 介质层 有效地 子区域 沟道 良率 制程 损伤 芯片 阻挡 分割 | ||
【主权项】：
1.一种图形化复合衬底，其特征在于，所述的图形化复合衬底包括蓝宝石衬底(1)，所述蓝宝石衬底上设有光栅结构阵列(2)、交错排列的沟道(3)和覆盖在光栅结构阵列(2)表面的薄膜层(4)；光栅结构阵列(2)覆盖在整个蓝宝石衬底(1)表面，光栅结构阵列(2)为向上凸起的结构；沟道(3)在蓝宝石衬底(1)表面朝向其内部凹陷的结构，交错排列的沟道(3)将蓝宝石衬底(1)表面分割成若干个独立的子区域；覆盖在光栅结构阵列(2)表面的薄膜层材质为氮化铝单晶；所述的覆盖在光栅结构阵列(2)表面的薄膜层(4)的厚度在1nm～100nm。
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