[实用新型]一种P型单晶硅电池正面镀膜结构

摘要

本实用新型公开了一种P型单晶硅电池正面镀膜结构，包括晶硅正面膜，所述晶硅正面膜依次沉积有第一层SiO₂层，第二层掺P多晶硅(n‑Si)，第三层60‑100nm的SiNx层，所述第一层厚度为1‑4nm，所述第二层厚度为10‑30nm，第三层厚度为60‑100nm。本实用新型降低了银栅线与硅接触处的载流子复合，掺P的多晶硅膜层与电池正面形成n+/n层，阻止了电池n型硅中的少子(空穴)向正表面迁移，从而了减小了表面复合，提高了Voc。

主权项

1.一种P型单晶硅电池正面镀膜结构，包括晶硅正面膜，所述晶硅正面膜包括在所述P型单晶硅电池正面依次沉积的磷扩散层，SiO₂层，掺P多晶硅层，SiNx层，银电极栅线；其特征在于，掺P多晶硅层在银电极栅线处局部沉积，SiNx层整面沉积在最外层；其中，磷扩散层的上边缘呈直线形或波浪形；SiO₂层呈直线形或波浪形，且与磷扩散层的上边缘形状相同。