[实用新型]一种P型单晶硅电池正面镀膜结构

权利要求书

1.一种P型单晶硅电池正面镀膜结构，包括晶硅正面膜，所述晶硅正面膜包括在所述P型单晶硅电池正面依次沉积的磷扩散层，SiO₂层，掺P多晶硅层，SiNx层，银电极栅线；其特征在于，掺P多晶硅层在银电极栅线处局部沉积，SiNx层整面沉积在最外层；其中，磷扩散层的上边缘呈直线形或波浪形；SiO₂层呈直线形或波浪形，且与磷扩散层的上边缘形状相同。

2.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池正面镀膜结构，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为1-4nm；所述掺P多晶硅层的厚度为10-30nm；所述SiNx层的厚度为60-100nm。

3.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池正面镀膜结构，其特征在于，所述银电极栅线为丝网印刷，银电极栅线包括正面主栅和正面细栅。

4.根据权利要求3所述的P型单晶硅电池正面镀膜结构，其特征在于，所述掺P多晶硅层的图形和丝网印刷的银电极栅线的图形相配合，使后续印刷的银电极栅线套印在沉积的掺P多晶硅层图形内；所述掺P多晶硅层的宽度和长度均大于正面银电极栅线；

其中，掺P多晶硅在细栅处的宽度比细栅的宽度多0.008-0.02mm，在细栅处的长度比细栅的长度多0.6-0.85mm，在主栅处的宽度比主栅的宽度多0.2-0.3mm，长度比主栅的长度多2.71-3.71mm。