[实用新型]一种异质结MWT双面太阳能电池片有效
| 申请号： | 201822170678.0 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN209199951U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 职森森;王茜茜;翁航;沙炜惠;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 孙承尧 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种异质结MWT双面太阳能电池片，包括打孔的电池片基底，基底正面和背面均设有一层本征非晶硅钝化层；所述基底正面的本征非晶硅钝化层上设有P掺杂非晶硅的掺杂层，基底背面的本征非晶硅钝化层上设有N掺杂非晶硅的掺杂层；所述P掺杂非晶硅的掺杂层和N掺杂非晶硅的掺杂层上均设有TCO薄膜；所述电池片背面的孔洞周围开有槽，槽的底为基底背面；孔内填充有堵孔银浆，电池片背面的孔洞对应背面电极点，电池片正面的孔洞对应正面电极点；电池片正面TCO薄膜上设有正银栅线，电池片背面TCO薄膜上设有背银栅线；电池片背面设有用于绝缘背银栅线与焊带的带状绝缘胶层，且绝缘胶层的绝缘胶填充在电池片背面孔洞周围的槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 孔洞 掺杂层 非晶硅 本征非晶硅 电池片背面 电池片 钝化层 银栅线 双面太阳能电池片 电池片正面 基底正面 绝缘胶层 电极点 异质结 背面 本实用新型 绝缘胶填充 基底背面 基底背 打孔 堵孔 焊带 基底 绝缘 银浆 填充 | ||
【主权项】：
1.一种异质结MWT双面太阳能电池片，其特征在于：包括打孔的电池片基底，基底正面和背面均设有一层本征非晶硅钝化层；所述基底正面的本征非晶硅钝化层上设有P掺杂非晶硅的掺杂层，基底背面的本征非晶硅钝化层上设有N掺杂非晶硅的掺杂层；所述P掺杂非晶硅的掺杂层和N掺杂非晶硅的掺杂层上均设有TCO薄膜；所述电池片背面的孔洞周围开有槽，槽的底为基底背面；孔内填充有堵孔银浆，电池片背面的孔洞对应背面电极点，电池片正面的孔洞对应正面电极点；电池片正面TCO薄膜上设有正银栅线，电池片背面TCO薄膜上设有背银栅线；电池片背面设有用于绝缘背银栅线与焊带的带状绝缘胶层，且绝缘胶层的绝缘胶填充在电池片背面孔洞周围的槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
