[实用新型]一种用于Al2O3陶瓷基片的冲压抹灰一体机有效
申请号: | 201822120149.X | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN209232730U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 周富;刘瑞生;田茂标;周伟;徐勇;曾洁;吴秀华;金梅;司志淑;刘孝平;丁鹏飞;陈书生 | 申请(专利权)人: | 成都万士达瓷业有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 苏丹;郑发志 |
地址: | 611332 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种用于Al2O3陶瓷基片的冲压抹灰一体机,DBC半导体热电基片生产技术领域,包括机架、下安装板和上安装板,下安装板和上安装板设置在机架上,下安装板左侧设置有冲压支撑座,冲压支撑座上设置有冲压装置,冲压装置下方设置有操作面板,操作面板上设置有陶瓷片冲压孔,操作面板与下安装板之间有空腔;机架中部和右侧均设置除灰装置;下安装板中部和上安装板右侧均设置有无杆气缸,无杆气缸包括滑块,滑块上设置有真空吸盘,下安装板中部安装的真空吸盘能进入空腔内,真空吸盘通过真空管与真空泵相连,机架上还设置有PLC控制器,冲压装置、除灰装置和无杆气缸均与PLC控制器电性连接。本实用新型具有冲压抹灰一体和生产效率高等优点。 | ||
搜索关键词: | 下安装板 冲压 操作面板 冲压装置 上安装板 真空吸盘 抹灰 本实用新型 除灰装置 陶瓷基片 无杆气缸 一体机 支撑座 滑块 真空管 半导体热电 电性连接 机架中部 生产技术 生产效率 冲压孔 陶瓷片 真空泵 空腔 气缸 | ||
【主权项】:
1.一种用于Al2O3陶瓷基片的冲压抹灰一体机,包括机架(1)、下安装板(2)和上安装板(3),下安装板(2)和上安装板(3)设置在机架(1)上,其特征在于:所述下安装板(2)左侧设置有冲压支撑座(4),所述冲压支撑座(4)上设置有冲压装置(5),所述冲压装置(5)下方设置有操作面板(6),所述操作面板(6)上设置有陶瓷片冲压孔,所述操作面板(6)与下安装板(2)之间有空腔;所述机架(1)中部和右侧均设置除灰装置(7),所述除灰装置(7)包括动力电机(8)、连接轴(9)、刷子本体(10)和除尘箱体(11),所述动力电机(8)一端与连接轴(9)一端相连,所述连接轴(9)另一端与刷子本体(10)相连,所述刷子本体(10)外套设除尘箱体(11),所述除尘箱体(11)上方开设有缺口(12),所述除尘箱体(11)下部设置有集灰箱(13);所述下安装板(2)中部和上安装板(3)右侧均设置有无杆气缸(14),所述无杆气缸(14)包括滑块(15),所述滑块(15)上设置有真空吸盘(16),所述缺口(12)可与真空吸盘(16)相配合,所述下安装板(2)中部安装的真空吸盘(16)能进入空腔内,所述真空吸盘(16)通过真空管(17)与真空泵相连,所述机架(1)上还设置有PLC控制器,所述冲压装置(5)、除灰装置(7)和无杆气缸(14)均与PLC控制器电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都万士达瓷业有限公司,未经成都万士达瓷业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822120149.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅片电注入退火装置
- 下一篇:一种芯片倒装焊接的隔离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造