[实用新型]一种测量半导体激光器烧结刻度的装置有效
| 申请号： | 201822120132.4 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN209148246U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张晨朝;吕怡凡;陈立红;张志鹏;薛建飞;鲍峰妹;赵国强;李德震 | 申请（专利权）人： | 石家庄麦特达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01M11/00 | 分类号： | G01M11/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种测量半导体激光器烧结刻度的装置，属于半导体激光器检测技术领域，包括：基座、三维平移台、固定件和接触测距器；三维平移台设置在基座上；固定件设置在三维平移台上，用于固定待测试的半导体激光器并随着三维平移台的移动而调节固定件的位置；接触测距器设置在基座上且与固定件相对设置，设有机械探头，用于测量待测试的半导体激光器芯片的芯片前腔面及管座分别距离基准位置的距离数值。本实用新型不仅可以一次性测量同一平面内所有芯片的烧结刻度而简化步骤及提高检测效率，而且避免受芯片腔面反射系数以及灯光调整的影响导致测量结果存在误差，测量结果准确并且方法简单易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 固定件 三维平移台 烧结 半导体激光器 本实用新型 测量半导体 激光器 测距器 半导体激光器芯片 芯片 检测技术领域 一次性测量 测试 灯光调整 反射系数 基准位置 机械探头 三维平移 相对设置 芯片腔 管座 前腔 测量 检测 移动 | ||
【主权项】：
1.一种测量半导体激光器烧结刻度的装置，其特征在于，包括：基座；三维平移台，设置在所述基座上；固定件，设置在所述三维平移台上，用于固定待测试的半导体激光器并随着所述三维平移台的移动而调节所述固定件的位置；接触测距器，设置在所述基座上且与所述固定件相对设置，设有机械探头，用于测量待测试的半导体激光器芯片的芯片前腔面及管座分别距离基准位置的距离数值。
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