[实用新型]PNP型晶体三极管有效
| 申请号： | 201822084694.8 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN208954993U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及PNP型晶体三极管，低掺杂P型硅的集电区上设有高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区；所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区单元组成，所述基区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状基区单元组成。本实用新型的PNP型晶体三极管采用低掺杂P型硅的集电区，设计均匀排列的基区单元和发射区单元，面积利用率高。在低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有保护环结构，结合P型硅外延晶圆层，避免晶体三极管的闩锁效应，尺寸小、VCEO高、稳定性强。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 发射区 低掺杂 高掺杂 集电区 等距离间隔排列 本实用新型 圆角矩形 柱状 晶体三极管 面积利用率 均匀排列 稳定性强 闩锁效应 环结构 外围处 晶圆 | ||
【主权项】：
1.一种PNP型晶体三极管，其特征在于，低掺杂P型硅的集电区上设有高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区；所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区单元组成，所述基区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状基区单元组成，每个所述圆角矩形柱状发射区单元上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述圆角矩形柱状发射区单元四角上设有圆角矩形柱状基区单元；每个所述圆角矩形柱状基区单元上设有基区引线孔；基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；所述基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂P型硅的集电区、保护环、高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区上设有P型硅外延晶圆层；所述外延晶圆层、高掺杂P型硅的发射区、高掺杂N型硅的基区上沉积阳极金属，低掺杂P型硅的集电区背面沉积阴极金属；所述阳极金属、阳极金属表面沉积SiN保护膜。
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