[实用新型]PNP型晶体三极管有效
| 申请号： | 201822084694.8 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN208954993U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基区 发射区 低掺杂 高掺杂 集电区 等距离间隔排列 本实用新型 圆角矩形 柱状 晶体三极管 面积利用率 均匀排列 稳定性强 闩锁效应 环结构 外围处 晶圆 | ||
1.一种PNP型晶体三极管，其特征在于，低掺杂P型硅的集电区上设有高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区；
所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区单元组成，所述基区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状基区单元组成，每个所述圆角矩形柱状发射区单元上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述圆角矩形柱状发射区单元四角上设有圆角矩形柱状基区单元；每个所述圆角矩形柱状基区单元上设有基区引线孔；基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；所述基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；
所述低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂P型硅的集电区、保护环、高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区上设有P型硅外延晶圆层；
所述外延晶圆层、高掺杂P型硅的发射区、高掺杂N型硅的基区上沉积阳极金属，低掺杂P型硅的集电区背面沉积阴极金属；所述阳极金属、阳极金属表面沉积SiN保护膜。
2.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有一个保护环结构。
3.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述PNP型晶体三极管尺寸为1.64mm×1.54mm，基区总面积为1.276×1.176mm。
4.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述保护环结构宽度为15μm，与高掺杂N型硅的基区的横向距离为32μm。
5.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区，圆角矩形柱状发射区所属晶格单元尺寸为160μm×110μm，三极管硅晶片内晶格单元总数为46个。
6.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述发射区引线孔为尺寸为55μm×60μm的圆角矩形孔，发射区金属化电极条宽度为80μm；所述基区引线孔为尺寸为40μm×60μm的圆角矩形孔，基区金属化电极条宽度为60μm。
7.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述绝缘槽的宽度为10μm。
8.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述低掺杂P型硅的集电区电阻率为50Ω·cm。
9.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述外延晶圆层厚度为50μm。
10.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于，所述阳极金属为Al，阴极金属为Ag；所述保护膜厚度为2μm。
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