[实用新型]PNP型晶体三极管

说明书

本实用新型涉及PNP型晶体三极管，低掺杂P型硅的集电区上设有高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区；所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区单元组成，所述基区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状基区单元组成。本实用新型的PNP型晶体三极管采用低掺杂P型硅的集电区，设计均匀排列的基区单元和发射区单元，面积利用率高。在低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有保护环结构，结合P型硅外延晶圆层，避免晶体三极管的闩锁效应，尺寸小、V_CEO高、稳定性强。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件，特别涉及PNP型晶体三极管。

背景技术

晶体三极管由半导体材料组成，是一种电流放大器件，也可利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用，可以作为电流开关或作为电子放大器。在不同的应用场景下，对三极管的性能有不同的要求。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种PNP型晶体三极管，本实用新型的PNP型晶体三极管V_CEO高，尺寸小。

为实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种PNP型晶体三极管，低掺杂P型硅的集电区上设有高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区；

所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区单元组成，所述基区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状基区单元组成，每个所述圆角矩形柱状发射区单元上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述圆角矩形柱状发射区单元四角上设有圆角矩形柱状基区单元；每个所述圆角矩形柱状基区单元上设有基区引线孔；基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；所述基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；

所述低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂P型硅的集电区、保护环、高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区上设有P型硅外延晶圆层；

所述外延晶圆层、高掺杂P型硅的发射区、高掺杂N型硅的基区上沉积阳极金属；低掺杂P型硅的集电区背面沉积阴极金属；所述阳极金属、阳极金属表面沉积SiN保护膜。

作为本实用新型的进一步改进，所述低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有一个保护环结构。

作为本实用新型的进一步改进，所述PNP型晶体三极管尺寸为1.64mm×1.54mm，基区总面积为1.276×1.176mm。

作为本实用新型的进一步改进，所述保护环结构宽度为15μm，与高掺杂N型硅的基区的横向距离为32μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区，圆角矩形柱状发射区所属晶格单元尺寸为160μm×110μm，三极管硅晶片内晶格单元总数为46个。

作为本实用新型的进一步改进，所述发射区引线孔为尺寸为55μm×60μm的圆角矩形孔，发射区金属化电极条宽度为80μm；所述基区引线孔为尺寸为40μm×60μm的圆角矩形孔，基区金属化电极条宽度为60μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘槽的宽度为10μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述低掺杂P型硅的集电区电阻率为50Ω·cm。

作为本实用新型的进一步改进，所述外延晶圆层厚度为50μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述阳极金属为Al，阴极金属为Ag；所述保护膜厚度为2μm。