[实用新型]半导体晶片有效
| 申请号： | 201822029819.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208970547U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/16;H01L33/20;H01L33/00;H01S5/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 外延生长 半极性 衬底 穿透位错 氮化硅岛 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度；第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度；其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。
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