[实用新型]存储设备有效
| 申请号： | 201821837627.2 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN209149823U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·K·特里帕希;A·弗玛;A·格罗弗;D·K·比哈尼;T·罗伊;T·阿格拉瓦尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本公开涉及存储设备，具体涉及低压主从触发器，更具体地涉及一种主从触发器存储电路，其在主锁存的输入处具有部分传送门晶体管。部分传送门晶体管包括上拉时钟使能晶体管，用于选择性地将测试开关的高输出耦合至主锁存器的输入。主锁存器的输入还直接耦合至部分传送门周围的测试开关的低输出。此外，提供了一种修改的电路布局，其中主锁存器具有三个反相器。第一反相器耦合至主锁存器的输入。第二和第三反相器耦合至第一反相器的输出，第二反相器具有耦合至第一反相器的输入的输出，并且第三反相器具有耦合至主锁存器的输出的输出。第一和第二反相器是时钟使能的，并且第三反相器是复位使能的。 | ||
| 搜索关键词： | 反相器 主锁存器 耦合 使能 输出 传送门晶体管 主从触发器 测试开关 存储设备 存储电路 电路布局 直接耦合 低输出 高输出 晶体管 输入处 复位 上拉 主锁 传送 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，其特征在于，包括：主从触发器存储电路，包括：主锁存器，包括：第一反相器，耦合至所述主锁存器的输入；第二反相器，具有耦合至所述第一反相器的输出的输入，并且具有耦合至所述主锁存器的输出的输出；和第三反相器，具有耦合至所述第二反相器的输出的输入，并且具有耦合至所述第二反相器的输入的输出；以及从锁存器，耦合至所述主锁存器。
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