[实用新型]一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构有效
| 申请号： | 201821802315.8 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144316U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李长进;李加林;李宏刚;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;高超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构，该热场结构在石墨坩埚内放置碳化硅粉料的高度大致对应的石墨坩埚外壁的位置设置第一套环，石墨坩埚内放置碳化硅籽晶的高度大致对应的石墨坩埚外壁设置第二套环，第一套环和第二套环可调节碳化硅晶体长晶时的热场分布。本实用新型提供的制备高品质碳化硅晶体的热场结构，通过控制石墨坩埚内部的温场，减少碳化硅粉料气相携带碳颗粒的能力，保证晶体生长界面温场的均一，控制晶体的生长速率及应力释放，降低晶体开裂风险，避免了碳包裹体缺陷的产生，提高了碳化硅晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 热场结构 套环 石墨坩埚 高品质 制备 石墨坩埚外壁 本实用新型 碳化硅粉料 温场 晶体生长界面 碳化硅籽晶 控制晶体 热场分布 应力释放 可调节 碳包裹 碳颗粒 体缺陷 均一 生长 携带 保证 | ||
【主权项】：
1.一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构，其特征在于，包括石墨坩埚(3)和保温层(6)，所述石墨坩埚(3)内部放置碳化硅粉料(4)，顶层固定有碳化硅籽晶(5)，在所述石墨坩埚(3)内放置碳化硅粉料(4)的高度大致对应的石墨坩埚(3)外壁的位置设置第一套环和，所述石墨坩埚(3)放置碳化硅籽晶(5)的高度大致对应的石墨坩埚(3)外壁设置第二套环，所述第一套环和所述第二套环通过调节所述石墨坩埚(3)的热传递效率以控制长晶时的热场分布。
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