[实用新型]一种屏蔽栅功率MOS的器件有效
| 申请号: | 201821774060.9 | 申请日: | 2018-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN210092093U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
| 发明(设计)人: | 李泽宏;吴玉舟;王为;谢驰 | 申请(专利权)人: | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人: | 刘楠 |
| 地址: | 550000 贵州省贵阳市市辖区国家高新技术*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | 本实用新型提出的一种屏蔽栅功率MOS的器件,在沟槽底部淀积的屏蔽栅采用不掺杂的多晶硅,同时其电位设置为浮空,不与源极电位相连,有效降低栅源电容。屏蔽栅结构保证功率MOS漂移区的电荷平衡效应降低导通电阻、提高击穿电压,同时利用不掺杂多晶硅的半绝缘性调制耐压时漂移区的电势线分布更为均匀,从而使得本实用新型结构具有比传统屏蔽栅功率MOS更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 屏蔽 功率 mos 器件 | ||
【主权项】:
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